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SCTH35N65G2V-7AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance
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パッケージ

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（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package       		4.0
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTH35N65G2V-7AG
量産中
H2PAK-7 Automotive Ecopack1

SCTH35N65G2V-7AG

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H2PAK-7

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H2PAK-7

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください