SCTH35N65G2V-7AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Source sensing pin for increased efficiency

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オートモーティブ

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SCTH35N65G2V-7AG
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H2PAK-7 オートモーティブ Ecopack1

SCTH35N65G2V-7AG

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-7

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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梱包タイプ

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パッケージ

H2PAK-7

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Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。