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SCTH35N65G2V-7AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance
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SCTH35N65G2V-7AG

パッケージ

H2PAK-7

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1200 V SiC MOSFETs
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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      		DS12029
      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package       		4.0
      616.34 KB
      		PDF
      DS12029

      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

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    • 概要 Version Size Action
      		AN4671
      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses       		1.1
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      		PDF
      		AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp       		1.0
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      The right technology for solar converters       		1.4
      416.3 KB
      		PDF
      AN4671

      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

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      TA0349

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    • 概要 Version Size Action
      		UM1575
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTH35N65G2V-7AG
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H2PAK-7 Automotive Ecopack1

SCTH35N65G2V-7AG

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

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H2PAK-7

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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