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SCTH35N65G2V-7AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package

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This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2^nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

特徴
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Source sensing pin for increased efficiency
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推奨コンテンツ

All resources

製品スペック (1)

	Resource title		Latest update
PDF	DS12029 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an H2PAK-7 package 5.0		01 Jan 1970	01 Jan 1970 DS12029 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an H2PAK-7 package 5.0

アプリケーションノート (3)

	Resource title	Latest update
PDF	AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1	01 Jan 1970	01 Jan 1970 AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1
PDF	AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0
PDF	AN3152 The right technology for solar converters 1.4	01 Jan 1970	01 Jan 1970 AN3152 The right technology for solar converters 1.4

技術ノート & 解説 (2)

	Resource title		Latest update
PDF	TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2		01 Jan 1970	01 Jan 1970 TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2
PDF	TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0		01 Jan 1970	01 Jan 1970 TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0

ユーザ･マニュアル (1)

	Resource title		Latest update
PDF	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3		01 Jan 1970	01 Jan 1970 UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3

フライヤ (5)

	Resource title	Latest update
PDF	ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
PDF	STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
PDF	STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0
PDF	SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1	01 Jan 1970	01 Jan 1970 SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1
PDF	SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0

パンフレット (1)

	Resource title		Latest update
PDF	Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1		01 Jan 1970	01 Jan 1970 Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1

カンファレンス･ペーパー (5 of 7)

	Resource title	Latest update
PDF	3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
PDF	Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
PDF	Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
PDF	SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
PDF	Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
PDF	Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
PDF	Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

品質 & 信頼性

製品型番	Marketing Status	パッケージ	グレード	RoHSコンプライアンスグレード	材料宣誓書**
SCTH35N65G2V-7AG	量産中	H2PAK-7	オートモーティブ	Ecopack1	PDF XML

SCTH35N65G2V-7AG

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

PDF XML

More Info

Marketing Status

Package

H2PAK-7

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番

販売代理店からオーダー

STからオーダー

製品ステータス

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ECCN (EU)

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パッケージ

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SCTH35N65G2V-7AG

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代理店名	地域	在庫	最小発注	パートナー企業リンク
DIGIKEY	WORLDWIDE	1000	1	発注する
MOUSER	WORLDWIDE	535	1	発注する
ANGLIA Live	EUROPE	3	1	発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2021-01-19

代理店名

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NEC

Tape And Reel

H2PAK-7

CHINA

16.0 / 1k

SCTH35N65G2V-7AG

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

詳細情報

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梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

H2PAK-7

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Budgetary Price (US$)* / Qty

16.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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