製品概要
概要
SCTL35N65G2Vは、STの先進的かつ革新的な第2世代SiC MOSFETテクノロジーを使用して開発されたSiC（シリコン･カーバイド）パワーMOSFETです。きわめて低いオン抵抗（単位面積あたり）と優れたスイッチング性能を備え、接合部温度に対して安定したスイッチング損失を特徴とします。
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特徴
- 高速かつ堅牢な内蔵ボディ･ダイオード
- 低い静電容量
- 高効率を実現するソース･センシング･ピン
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - SCTL35N65G2V
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 30 Mar 2021 | 30 Mar 2021 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCTL35N65G2V | 量産中 | PowerFLAT 8x8 HV | インダストリアル | Ecopack2 | |
SCTL35N65G2V
Package:
PowerFLAT 8x8 HVMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
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| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| SCTL35N65G2V | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | PowerFLAT 8x8 HV | - | - | CHINA | | ||
distributors
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。