製品概要
概要
SCTL35N65G2Vは、STの先進的かつ革新的な第2世代SiC MOSFETテクノロジーを使用して開発されたSiC（シリコン･カーバイド）パワーMOSFETです。きわめて低いオン抵抗（単位面積あたり）と優れたスイッチング性能を備え、接合部温度に対して安定したスイッチング損失を特徴とします。
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特徴
- 高速かつ堅牢な内蔵ボディ･ダイオード
- 低い静電容量
- 高効率を実現するソース･センシング･ピン
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - SCTL35N65G2V
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 30 Mar 2021 | 30 Mar 2021 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCTL35N65G2V | 量産中 | PowerFLAT 8x8 HV | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTL35N65G2V | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
SCTL35N65G2V 量産中
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。