製品概要
概要
本Nチャネル･パワーMOSFETは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh™ DM9テクノロジーを採用しています。ファストリカバリ･ダイオードとの組み合わせにより、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。シリコン･ベースのMDmesh™ DM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造を可能にしています。この高速スイッチング･スーパージャンクション･パワーMOSFETは、きわめて小さいリカバリ電荷(Qrr)、時間(trr)、およびRDS(on)を特徴とするファストリカバリ･ダイオードを備えているため、特に要求の厳しい高効率なブリッジ･トポロジやZVS位相シフト･コンバータに適しています。
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特徴
- ファストリカバリ･ボディ･ダイオード
- 超低FOM（RDS(on)•Qg）
- 低ゲート電荷、低入力キャパシタンスおよび抵抗
- 100%アバランシェ試験済み
- きわめて堅牢なdv/dt特性
- ソース･ピンのドライブ機能による優れたスイッチング性能
注目ビデオ
ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - ST8L65N050DM9
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 05 Nov 2025 | 05 Nov 2025 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ST8L65N050DM9 | 量産中 | PowerFLAT 8x8 HV | インダストリアル | Ecopack2 | - | - | |
ST8L65N050DM9
Package:
PowerFLAT 8x8 HVMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ST8L65N050DM9 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
ST8L65N050DM9 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。