N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in D2PAK package

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  • These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance

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推奨製品

推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6113
      N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages
      5.0
      1.02 MB
      PDF
      DS6113

      N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STB18NM80
アクティブ
D2PAK インダストリアル Ecopack1

STB18NM80

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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