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STB31N65M5

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N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs based on the MDmesh M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.

    主な特徴

    • Extremely low RDS(on)
    • Low gate charge and input capacitance
    • Excellent switching performance
    • 100% avalanche tested
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      		DS8912
      N-channel 650 V, 0.124 Ω, 22 A, MDmesh M5 Power MOSFETs in D2PAK, TO‑220FP, TO‑220 and TO-247 packages       		4.0
      1.1 MB
      		PDF
      DS8912

      N-channel 650 V, 0.124 Ω, 22 A, MDmesh M5 Power MOSFETs in D2PAK, TO‑220FP, TO‑220 and TO-247 packages

      PDF
    • 概要 Version Size Action
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter       		1.1
      1.35 MB
      		PDF
      		AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages       		1.3
      776.65 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      PDF
      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      PDF
      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 Version Size Action
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 Version Size Action
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      		STB31N65M5 PSpice model 1.0
      16.05 KB
      		ZIP

      STB31N65M5 PSpice model

      ZIP

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF
    • 概要 Version Size Action
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      		PDF
      		Products and solutions for solar energy 1.0
      1.29 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF

      Products and solutions for solar energy

      PDF
製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB31N65M5
Active
D2PAK インダストリアル Ecopack2

STB31N65M5

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML
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Marketing Status

Active

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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