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STB33N60DM6

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N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
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製品型番
パッケージ
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ECCN (US)
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STB33N60DM6 D2PAK Tape And Reel
量産中
EAR99 CHINA 4.40 / 1k

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STB33N60DM6

パッケージ

D2PAK

梱包タイプ

Tape And Reel
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4.40 / 1k

製品ステータス

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4.40 / 1k

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EAR99

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900 V MDmesh K5 MOSFETs
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS12904
      N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh™ DM6 Power MOSFET in a D2PAK package       		1.0
      617.56 KB
      		PDF
      DS12904

      N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh™ DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode       		1.0
      834.68 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

      PDF
      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      PDF
      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STB33N60DM6 Pspice Model 1.0
      5.69 KB
      		ZIP

      STB33N60DM6 Pspice Model

      ZIP

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      		PDF
      		600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness 1.0
      2.2 MB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness

      PDF
製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB33N60DM6
量産中
D2PAK Industrial Ecopack2

STB33N60DM6

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML
More Info

Marketing Status

量産中

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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