N-channel 650 V, 0.56 Ohm typ., 7 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package

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  • These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主な特徴

    • Worldwide best RDS(on) * area
    • Higher VDSSrating
    • High dv/dt capability
    • Excellent switching performance
    • Easy to drive
    • 100% avalanche tested

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    • 製品型番

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS6548
      N-channel 650 V, 0.56 Ω typ., 7 A MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAK packages
      5.1
      1.42 MB
      PDF
      DS6548

      N-channel 650 V, 0.56 Ω typ., 7 A MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAK packages

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter
      1.1
      1.35 MB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • Description バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • Description バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
      STB8N65M5 PSpice model 1.0
      9.72 KB
      ZIP

      STB8N65M5 PSpice model

関連資料

    • Description バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF
      Products and solutions for solar energy 1.0
      1.29 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      Products and solutions for solar energy

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB8N65M5
Active
D2PAK インダストリアル Ecopack2

STB8N65M5

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.