Product overview
概要
これらの高電圧デバイスは、定評のあるPowerMESHの最適化技術であるSuperMESH技術を用いてSTで開発された、ドレイン-ソース間のツェナー･ダイオード付きNチャネル･パワーMOSFETです。オン抵抗の大幅な低減に加え、これらのデバイスは、最も要求の厳しいアプリケーション向けに高レベルのdv/dt特性を確保するように設計されています。
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All features
- 極めて高いdv/dt特性
- 向上したESD機能
- 100%アバランシェ試験済み
- ゲート電荷の最小化
- 非常に低い固有容量
- ツェナー･ダイオードによる保護
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STMicroelectronics - STB9NK60ZT4
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB9NK60ZT4 | Active 交換品交換品 | D2PAK | Industrial | Ecopack2 | - | - | |
STB9NK60ZT4
Package:
D2PAKMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STB9NK60ZT4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
STB9NK60ZT4 Active
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。