STD13NM60N

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N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

評価ツール

    • 製品型番

      300 W peak power (170 W continuous power) LLC resonant converter based on L6699, STB13N60M2 and STPS20M80CG

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS9429
      N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK and DPAK packages
      3.0
      1.13 MB
      PDF
      DS9429

      N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK and DPAK packages

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN3994
      Managing the best in class MDmesh™ V and MDmesh™ II super junction technologies: driving and layout key notes
      1.0
      2.24 MB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN3994

      Managing the best in class MDmesh™ V and MDmesh™ II super junction technologies: driving and layout key notes

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

    • 概要 Version Size Action
      AN4599
      STEVAL-ISA132V1 24 V 300 W peak power resonant converter
      3.0
      904.42 KB
      PDF
      AN4599

      STEVAL-ISA132V1 24 V 300 W peak power resonant converter

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STD13NM60N PSpice model (.lib) 1.0
      1 KB
      ZIP

      STD13NM60N PSpice model (.lib)

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STD13NM60N
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DPAK インダストリアル Ecopack2

STD13NM60N

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

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Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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