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STD2HNK60Z

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N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK package

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  • These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    主な特徴

    • Extremely high dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Zener-protected
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS3646
      N-channel 600 V, 3.5 Ω typ., 2 A SuperMESH™ Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220FP and TO-92 packages       		6.0
      827.9 KB
      		PDF
      DS3646

      N-channel 600 V, 3.5 Ω typ., 2 A SuperMESH™ Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220FP and TO-92 packages

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages       		1.3
      776.65 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      PDF
      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      PDF
      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STD2HNK60Z PSpice model (.lib) 1.0
      950 Byte(s)
      		ZIP

      STD2HNK60Z PSpice model (.lib)

      ZIP

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      252.98 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD2HNK60Z
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DPAK インダストリアル Ecopack2

STD2HNK60Z

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML
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Marketing Status

量産中

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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ECCN (EU)
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COMPEL EUROPE 13990 1 発注する
ARROW EUROPE 10000 0 発注する
ARROW AMERICA 560 1 発注する
MOUSER WORLDWIDE 6538 1 発注する
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代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-04

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EAR99 NEC Tape And Reel DPAK - - CHINA

STD2HNK60Z

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99
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代理店名
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NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

DPAK

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CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。