STD3N62K3

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N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package

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  • These MDmesh™ K3 Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ MDmesh™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt capability
    • Very low intrinsic capacitance
    • Improved diode reverse recovery characteristics
    • Zener-protected

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    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS5888
      N-channel 620 V, 2.2 Ω typ., 2.7 A MDmesh™ K3 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages
      3.0
      725.51 KB
      PDF
      DS5888

      N-channel 620 V, 2.2 Ω typ., 2.7 A MDmesh™ K3 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN3973
      Electronic ballast with active PFC using STD3N62K3 power MOSFET and STD845DN40 BJT device
      1.0
      3.32 MB
      PDF
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN3973

      Electronic ballast with active PFC using STD3N62K3 power MOSFET and STD845DN40 BJT device

      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD3N62K3
量産中
DPAK Industrial Ecopack2

STD3N62K3

Package:

DPAK

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください