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This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特徴
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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製品スペック (1)
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13 Feb 2018 |
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アプリケーションノート (5)
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13 Sep 2018 |
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22 Jan 2019 |
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07 Jan 2019 |
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08 Nov 2019 |
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13 Sep 2018 |
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ユーザ・マニュアル (1)
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21 Oct 2016 |
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フライヤ (4)
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22 Jan 2020 |
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25 Sep 2019 |
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08 May 2020 |
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13 Jun 2019 |
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パンフレット (1)
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23 Mar 2020 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
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HWモデル / CADライブラリ / SVD (1)
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ZIP | 09 Mar 2018 |
09 Mar 2018
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品質 & 信頼性
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STD80N6F7 |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | DPAK | - | - | CHINA |
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。