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This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
主な特徴
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | Approximate Price (US$)* / Qty | STからオーダー | 販売代理店からオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD80N6F7 | DPAK | Tape And Reel | 量産中 | EAR99 | CHINA | 0.87 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
STD80N6F7
パッケージ
DPAK梱包タイプ
Tape And ReelApproximate Price (US$)* / Qty
0.87（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
ビデオ
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