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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11885
      N-channel 60 V, 6.8 mΩ typ., 40 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a DPAK package
      5.0
      275.31 KB
      PDF
      DS11885

      N-channel 60 V, 6.8 mΩ typ., 40 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a DPAK package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
      1.1
      1,006.7 KB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STD80N6F7_PSpice_model 1.0
      10.32 KB
      ZIP

      STD80N6F7_PSpice_model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      PDF
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      676.32 KB
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      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.1
      687.95 KB
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD80N6F7
量産中
DPAK インダストリアル Ecopack2

STD80N6F7

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
STD80N6F7

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

DPAK Tape And Reel
量産中
EAR99 CHINA

STD80N6F7

パッケージ

DPAK

梱包タイプ

Tape And Reel

Budgetary Price (US$)*/Qty

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。