STG200M65F2D8AG

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Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series IGBT die in D8 packing

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    Key Features

    • AEC-Q101 qualified
    • Low-loss series IGBT
    • Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 200 A
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Tight parameter distribution
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • 6 µs minimum short-circuit withstanding time at TJ = 150 °C

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技術文書

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      DS11201
      Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series IGBT die in D8 packing
      3.0
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      DS11201

      Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series IGBT die in D8 packing

HWモデル、CADライブラリ & SVD

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      STG200M65F2D8AG PSpice model 1.0
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関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
      357.76 KB
      PDF

      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

製品型番 製品ステータス グレード Material Declaration**
STG200M65F2D8AG
アクティブ
オートモーティブ

STG200M65F2D8AG

Package:

Automotive

Material Declaration**:

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Marketing Status

アクティブ

Grade

Automotive

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