製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- AEC-Q101 qualified
- Low-loss series IGBT
- Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 200 A
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Tight parameter distribution
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- 6 µs minimum short-circuit withstanding time at TJ = 150 °C
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
Resource title | バージョン | Latest update |
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SPICE models (1)
Resource title | バージョン | Latest update | ||
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ZIP | 1.0 | 21 Mar 2019 | 21 Mar 2019 |
サンプル & 購入
製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STG200M65F2D8AG | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Carrier Tape | DICE | -40 | 175 | CHINA | |
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。