STG200M65F2D8AG

量産中

Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D8 packing

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Low-loss series IGBT
    • Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 200 A
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Tight parameter distribution
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • 6 µs minimum short-circuit withstanding time at TJ = 150 °C

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STG200M65F2D8AG

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Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス グレード 材料宣誓書**
STG200M65F2D8AG
量産中
オートモーティブ

STG200M65F2D8AG

Package:

Automotive

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Grade

Automotive

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
STG200M65F2D8AG

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Tape And Reel DICE -40 175 FRANCE

STG200M65F2D8AG

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

DICE

Operating Temperature (°C)

(最小)

-40

(最大)

175

Country of Origin

FRANCE

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。