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This die is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. This device is a part of the H2 series IGBTs.
主な特徴
- 5 μs of short-circuit withstand time
- Low VCE(sat)= 2.1 V (typ.) at IC = 25 A
- Tight parameter distribution
- Low switching-off losses
- Safer paralleling
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STG25H120F2D7 |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
量産中
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EAR99 | NEC | Not Applicable | D.SCRIB.100% VI STAT | - | - | ITALY | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
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