製品概要
概要
This die is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. This device is a part of the H2 series IGBTs.
-
特徴
- 5 μs of short-circuit withstand time
- Low VCE(sat)= 2.1 V (typ.) at IC = 25 A
- Tight parameter distribution
- Low switching-off losses
- Safer paralleling
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STG25H120F2D7
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | グレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STG25H120F2D7 | 量産中 | インダストリアル | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STG25H120F2D7 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STG25H120F2D7 量産中
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。