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  • This die is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. This device is a part of the H2 series IGBTs.

    主な特徴

    • 5 μs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat)= 2.1 V (typ.) at IC = 25 A
    • Tight parameter distribution
    • Low switching-off losses
    • Safer paralleling

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10809
      1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing
      1.1
      246.39 KB
      PDF
      DS10809

      1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      ST IGBT FINDER app for Android and iOS 1.0
      316.78 KB
      PDF

      ST IGBT FINDER app for Android and iOS

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status グレード 材料宣誓書**
STG25H120F2D7
量産中
インダストリアル

STG25H120F2D7

Package:

Industrial

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
STG25H120F2D7

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Not Applicable D.SCRIB.100% VI STAT - - ITALY

STG25H120F2D7

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Not Applicable

パッケージ

D.SCRIB.100% VI STAT

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Country of Origin

ITALY

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。