STG25H120F2D7

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1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing

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製品概要

概要

This die is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. This device is a part of the H2 series IGBTs.
  • 特徴

    • 5 μs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat)= 2.1 V (typ.) at IC = 25 A
    • Tight parameter distribution
    • Low switching-off losses
    • Safer paralleling

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STG25H120F2D7

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Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス グレード 材料宣誓書**
STG25H120F2D7
量産中
インダストリアル

STG25H120F2D7

Package:

Industrial

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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量産中
EAR99 NEC Not Applicable D.SCRIB.100% VI STAT - - ITALY

STG25H120F2D7

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Not Applicable

パッケージ

D.SCRIB.100% VI STAT

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Country of Origin

ITALY

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。