STGB19NC60HDT4

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19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

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  • These devices are ultrafast IGBT. They utilize the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

    主な特徴

    • Low on-voltage drop (VCE(sat))
    • Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode

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STGB19NC60HDT4 D2PAK Tape And Reel
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EAR99 CHINA 19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode 2.20 購入 在庫チェック

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ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

概要

19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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      DS4967
      19 A, 600 V, very fast IGBT with ultrafast diode
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      DS4967

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGB19NC60HDT4
量産中
19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode D2PAK Industrial Ecopack2

STGB19NC60HDT4

Package:

19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

General Description

19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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