Product overview
概要
These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
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All features
- Low on voltage drop (VCE(sat))
- Very soft ultra-fast recovery antiparallel diode
推奨コンテンツ
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGB19NC60HDT4
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | General Description | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB19NC60HDT4 | Active 交換品交換品 | 19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode | D2PAK | Industrial | Ecopack2 | - | - | |
STGB19NC60HDT4
Package:
19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diodeMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | General Description | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGB19NC60HDT4 Active
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