STGB30H60DLLFBAG

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Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Logic level gate drive
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 30 A
    • Low VF soft recovery co-packaged diode
    • Tight parameters distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance

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      STPOWER IGBT Finder

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGB30H60DLLFBAG

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製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGB30H60DLLFBAG
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Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed D2PAK オートモーティブ Ecopack1

STGB30H60DLLFBAG

Package:

Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Material Declaration**:

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Marketing Status

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General Description

Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Package

D2PAK

Grade

Automotive

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tape And Reel D2PAK -55 175
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CHINA

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梱包タイプ

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パッケージ

D2PAK

Operating Temperature (°C)

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-55

(最大)

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CHINA

概要

Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。