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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 6 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

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      DS11407
      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
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STGB6M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

Material Declaration**:

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General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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