650V Mシリーズ： 低損失（2kHz～20kHz）

650V IGBT Mシリーズは、ハードスイッチング回路トポロジで2kHz～20kHzの範囲で動作するアプリケーション向けに設計され、導通損失とスイッチオフ損失のバランスを最適化しています。IGBTはSTPOWER™ファミリに属しています。

起動時温度150˚C（Tᴊ）における最小短絡保証時間が6µsであり、さらに最高動作温度が175˚C（Tᴊ）で安全動作領域（SOA）が広いため、電力損失の大きなアプリケーションの寿命を延ばし、信頼性を向上します。

定格電流は4A～120Aであり、低順電圧降下と高度のソフト・リカバリを保ちつつ高速リカバリ向けに最適化された、新たなフリーホイール･ダイオードを含む様々なパッケージで提供されています。

主な特徴

• 最大20kHzのアプリケーション向け低損失IGBT
• 650Vのブレークダウン電圧、6µsの最小短絡定格時間（起動時 T_J150˚Cの場合）、および175˚Cの拡張最高動作温度（T_J）による、高い堅牢性と信頼性
• 高い熱抵抗に対応する薄型IGBTダイ
• 正のV_CE(sat)温度係数および狭いパラメータ分布による設計の簡素化および容易な並列化
• 高速リカバリ向けに最適化されたダイオード（高度のソフト・リカバリ、低EMI、およびターンオン損失）

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護により高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションの設計をサポートします。