650V Mシリーズ： 低損失（2kHz～20kHz）

650V IGBT Mシリーズは、ハードスイッチング回路トポロジにおいて2kHz～20kHzの範囲で動作するアプリケーション向けに設計され、導通損失とスイッチオフ損失のバランスが最適化されています。IGBTはSTPOWERファミリの製品です。

スタート時温度150℃（Tᴊ）における最小短絡保証時間が6µs、最高動作接合温度が175℃（Tᴊ）で安全動作領域（SOA）が広いため、電力損失の大きなアプリケーションの寿命を延長し、信頼性向上に貢献します。

4A～200Aの定格電流に対応しています。低順電圧降下と高度のソフト･リカバリを保ちつつ、高速リカバリ向けに最適化された新世代のフリーホイール･ダイオードを内蔵した幅広いパッケージで提供されます。

主な特徴

• 最大20kHzのアプリケーション向け低損失IGBT
• 650Vのブレークダウン電圧、6µsの最小短絡定格時間（スタート時 T_J150℃の場合）、および175℃の拡張最高動作温度（T_J）による高い堅牢性と信頼性
• 低熱抵抗の薄型IGBTダイ
• 正温度係数を持つV_CE(sat)および狭いパラメータ分布による設計の簡略化および容易な並列化
• ファストリカバリ向けに最適化されたダイオード（高度のソフト・リカバリ、低EMI、低ターンオン損失）

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護により高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーション開発をサポートします。