650V Mシリーズ： 低損失（2kHz～20kHz）

650V IGBT Mシリーズは、ハードスイッチング回路トポロジで2kHz～20kHzの範囲で動作するアプリケーション向けに設計され、導通損失とスイッチオフ損失のバランスを最適化しています。IGBT製品はSTPOWERファミリに属しています。

起動時温度150˚C（Tᴊ）における最小短絡保証時間が6µsであり、さらに最高動作温度が175˚C（Tᴊ）で安全動作領域（SOA）が広いため、電力損失の大きなアプリケーションの寿命を延ばし、信頼性を向上します。

定格電流は4A～120Aであり、低順電圧降下と高度のソフト・リカバリを保ちつつ高速リカバリ向けに最適化された、新たなフリーホイール･ダイオードを含む様々なパッケージで提供されています。

STのSTPOWER IGBTの主な特徴

• 最大20kHzのアプリケーション向け低損失IGBT
• 650Vのブレークダウン電圧、6µsの最小短絡定格時間（起動時 T_J150˚Cの場合）、および175˚Cの拡張最高動作温度（T_J）による、高い堅牢性と信頼性
• 高い熱抵抗に対応する薄型IGBTダイ
• 正のV_CE(sat)温度係数および狭いパラメータ分布による設計の簡素化および容易な並列化
• 高速リカバリ向けに最適化されたダイオード（高度のソフト・リカバリ、低EMI、およびターンオン損失）

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、設計者は、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。