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  • This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. This device is well-suited for resonant or soft-switching applications.

    主な特徴

    • Low on-voltage drop (VCE(sat))
    • Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)

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STGD10NC60HT4 DPAK Tape And Reel
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1.0 1000 EAR99 CHINA N-channel 10 A, 600 V very fast IGBT 在庫チェック

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STGD10NC60HT4

パッケージ

DPAK

梱包タイプ

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製品ステータス

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1

数量

1000

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EAR99

Country of Origin

CHINA

概要

N-channel 10 A, 600 V very fast IGBT

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技術文書

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      N-channel 600 V, 10 A, very fast IGBT in DPAK package
      1.0
      689.36 KB
      PDF
      DS12871

      N-channel 600 V, 10 A, very fast IGBT in DPAK package

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGD10NC60HT4
Active
N-channel 10 A, 600 V very fast IGBT DPAK インダストリアル Ecopack2

STGD10NC60HT4

Package:

N-channel 10 A, 600 V very fast IGBT

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

General Description

N-channel 10 A, 600 V very fast IGBT

Package

DPAK

Grade

Industrial

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.