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These devices are based on a new advanced planar technology concept to yield an IGBT with more stable switching performance (Eoff) versus temperature, as well as lower conduction losses.
主な特徴
- Minimal tail current
- Low conduction and switching losses
- Ultrafast soft recovery antiparallel diode
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| 製品型番 | 製品ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGD3HF60HDT4 | 量産中 | 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode | DPAK | Industrial | Ecopack2 | |
STGD3HF60HDT4
Package:
4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diodeMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
