製品概要
概要
This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).-
特徴
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- High current capability
- Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
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STMicroelectronics - STGF10NB60SD
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 11 Dec 2020 | 11 Dec 2020 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF10NB60SD | 量産中 | 16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode | TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGF10NB60SD
Package:
16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diodeMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGF10NB60SD | 3 distributors | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220FP | -65 | 150 | CHINA | 16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode | | |||
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。