-
This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).
主な特徴
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- High current capability
- Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
ビデオ
モバイル･アプリケーション
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF10NB60SD | 量産中 | 16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode | TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF10NB60SD | 4 distributors | 購入 | TO-220FP | Tube | 量産中 | EAR99 | CHINA | 16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode | 1.0 / 1k |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
