製品概要
概要
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the V series IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Tail-less switching off
- VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery antiparallel diode
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGFW40V60DF
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 11 Dec 2020 | 11 Dec 2020 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGFW40V60DF | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | TO-3PF | インダストリアル | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGFW40V60DF | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-3PF | -55 | 175 | SOUTH KOREA | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | 2.9495 / 1k | ||
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
