STGO30H60DLLFBAG

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Automotive-grade trench gate field-stop, 600 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in a TO-LL package

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Designed for automotive applications
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Logic level gate drive
    • High-speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 30 A
    • Low VF soft-recovery co-packaged diode
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGO30H60DLLFBAG

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGO30H60DLLFBAG
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Automotive-grade trench gate field-stop, 600 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in a TO-LL package TO-LL オートモーティブ Ecopack2

STGO30H60DLLFBAG

Package:

Automotive-grade trench gate field-stop, 600 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in a TO-LL package

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

General Description

Automotive-grade trench gate field-stop, 600 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in a TO-LL package

Package

TO-LL

Grade

Automotive

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。