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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.
主な特徴
- High speed switching
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Short circuit rated
- Ultrafast soft recovery antiparallel diode
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| 製品型番 | 製品ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGP30H60DF | 量産中 | 600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT | TO-220AB | Industrial | Ecopack2 | |
STGP30H60DF
Package:
600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
