STGW25H120DF2

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Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high-switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 25 A
    • 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ = 150 °C
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast recovery antiparallel diode

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      Finder Apps ST
      STPOWER IGBT Finder

      概要:

      STPOWER IGBT finder mobile app for tablets and smartphones

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGW25H120DF2

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STGW25H120DF2
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TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW25H120DF2

Package:

TO-247

Material Declaration**:

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Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STGW25H120DF2

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

TO-247

Operating Temperature (°C)

(最小)

-55

(最大)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

3.5 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。