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  • These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 2.1 V (typ.) @ IC= 25 A
    • 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ=150 °C
    • Safe paralleling
    • Very fast recovery antiparallel diode
    • Low thermal resistance

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製品型番
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STGW25H120DF2 TO-247 Tube
Active
3.5 1000 EAR99 CHINA No availability of distributors reported, please contact our sales office

STGW25H120DF2

パッケージ

TO-247

梱包タイプ

Tube

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製品ステータス

Active

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3.5

数量

1000

ECCN (US)

EAR99

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CHINA

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    • 製品型番

      IGBT product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9297
      Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
      4.0
      730.34 KB
      PDF
      DS9297

      Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW25H120DF2
Active
TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW25H120DF2

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.