製品概要
概要
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat)= 2.1 V (typ.) @ IC= 25 A
- 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ=150 °C
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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| 14 May 2018 | 14 May 2018 |
アプリケーションノート (3)
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| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 | |||
| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 |
フライヤ (2)
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| 04 May 2020 | 04 May 2020 | |||
| 03 Mar 2021 | 03 Mar 2021 |
パンフレット (1)
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| 03 Jun 2021 | 03 Jun 2021 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGW25H120F2
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SPICE models (1)
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| ZIP | 11 Dec 2020 | 11 Dec 2020 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGW25H120F2 | 量産中 | TO-247 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGW25H120F2
Package:
TO-247Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STGW25H120F2 | 1 distributors | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | -55 | 175 | CHINA | 3.0 / 1k | |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
