STGW25H120F2

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Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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製品概要

概要

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 2.1 V (typ.) @ IC= 25 A
    • 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ=150 °C
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGW25H120F2

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品質 & 信頼性

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STGW25H120F2
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TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW25H120F2

Package:

TO-247

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Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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