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These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat)= 2.1 V (typ.) @ IC= 25 A
- 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ=150 °C
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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|---|---|---|---|---|
| 14 May 2018 |
14 May 2018
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アプリケーションノート (3)
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| 03 Apr 2020 |
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| 13 Sep 2018 |
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| 13 Sep 2018 |
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フライヤ (1)
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|---|---|---|---|---|
| 04 May 2020 |
04 May 2020
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パンフレット (1)
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| 23 Mar 2020 |
23 Mar 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGW25H120F2
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGW25H120F2 |
量産中
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TO-247 | インダストリアル | Ecopack2 |
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STGW25H120F2
Package:
TO-247Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STGW25H120F2 | 2 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | -55 | 175 | CHINA | 3.0 / 1k | |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
