STGW40H120F2

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Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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  • These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 2.1 V (typ.) @ IC= 40 A
    • 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ = 150 °C
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

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    • 製品型番

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      DS10158
      Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
      3.0
      995.35 KB
      PDF
      DS10158

      Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STGW40H120F2 PSpice model 1.0
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      STGW40H120F2 PSpice model

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      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGW40H120F2
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TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW40H120F2

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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