STGW80H65DFB-4

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Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. A faster switching event can be achieved by the Kelvin pin, which separates power path from driving signal. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • Tight parameter distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

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Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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技術文書

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      Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW80H65DFB-4
量産中
Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT TO247-4 Industrial Ecopack2

STGW80H65DFB-4

Package:

Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

General Description

Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

Package

TO247-4

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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