STGWA50M65DF2AG

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Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads package

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Low VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 50 A
    • Minimized tail current
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast-recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGWA50M65DF2AG

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWA50M65DF2AG
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Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads package TO-247 long leads オートモーティブ Ecopack2

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Package:

Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads package

Material Declaration**:

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Marketing Status

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General Description

Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads package

Package

TO-247 long leads

Grade

Automotive

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。