製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A
- Tight parameter distribution
- Safe paralleling
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery antiparallel diode
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STGWA80H65DFB
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA80H65DFB | 量産中 | Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT | TO-247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 | 10 | 2020-07-01T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA80H65DFB | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGWA80H65DFB 量産中
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