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These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
- Tight parameter distribution
- Safe paralleling
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery antiparallel diode
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | 概要 | Approximate Price (US$)* / Qty | STからオーダー | 販売代理店からオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWT30H60DFB | TO-3P | Tube | 量産中 | EAR99 | KOREA (south) | Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT | 2.35 / 1k | サンプル入手 | 在庫チェック |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
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| 製品型番 | 製品ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWT30H60DFB | 量産中 | Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT | TO-3P | Industrial | Ecopack2 | |
STGWT30H60DFB
Package:
Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
