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These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
- Tight parameter distribution
- Safe paralleling
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery antiparallel diode
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製品スペック (1)
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| 01 Jan 1970 |
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アプリケーションノート (3)
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フライヤ (3)
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGWT30H60DFB
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Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWT30H60DFB |
量産中
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Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT | TO-3P | インダストリアル | Ecopack2 |
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STGWT30H60DFB
Package:
Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGWT30H60DFB | 4 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-3P | -55 | 175 | SOUTH KOREA | Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT | 2.35 / 1k | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
