製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat)= 1.6 V (typ.) @ IC= 60 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGWT60H65FB
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EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | Latest update | ||
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| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGWT60H65FB | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed | TO-3P | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | Country of Origin | 概要 | ||
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| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGWT60H65FB | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-3P | -55 | 175 | SOUTH KOREA | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed | | SOUTH KOREA | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed | ||
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。