STGWT60H65FB

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 1.6 V (typ.) @ IC= 60 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGWT60H65FB

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWT60H65FB
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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed TO-3P インダストリアル Ecopack2

STGWT60H65FB

Package:

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Material Declaration**:

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Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Package

TO-3P

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tube TO-3P -55 175

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

STGWT60H65FB 量産中

パッケージ:
TO-3P
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

製品型番:

STGWT60H65FB

ECCN (EU):

NEC

梱包タイプ:

Tube

Operating Temperature (°C)

最小:

-55

最大:

175

Country of Origin:

SOUTH KOREA

概要:

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。