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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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STH80N10LF7-2AG H2PAK-2 Tape And Reel
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STH80N10LF7-2AG

パッケージ

H2PAK-2

梱包タイプ

Tape And Reel

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    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS11708
      Automotive-grade N-channel 100 V, 7 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a H²PAK-2 package
      2.0
      621.93 KB
      PDF
      DS11708

      Automotive-grade N-channel 100 V, 7 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a H²PAK-2 package

    • 概要 Version Size Action
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
      1.1
      1,006.7 KB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

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      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

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      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

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    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.1
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

    • 概要 Version Size Action
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH80N10LF7-2AG
Active
H2PAK-2 Automotive Ecopack1

STH80N10LF7-2AG

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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