STH80N10LF7-2AG

NRND
Design Win

N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package

Download datasheet

本製品ステータス

NRND

代わりに次の製品をお勧めします: 

STH315N10F7-2

製品概要

概要

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STH80N10LF7-2AG

Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.

Please select one model supplier :

Symbols

EDAシンボル

Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH80N10LF7-2AG
NRND
H2PAK-2 オートモーティブ Ecopack1 (*)

STH80N10LF7-2AG

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1 (*)

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

Swipe or click the button to explore more details Don't show this again
製品型番
製品ステータス
Budgetary Price (US$)*/Qty
STから購入
Order from distributors
パッケージ
梱包タイプ
RoHS
Country of Origin
ECCN (US)
ECCN (EU)
STH80N10LF7-2AG
Available at distributors

販売代理店在庫 STH80N10LF7-2AG

販売代理店
地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク

販売代理店在庫データ:

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

STH80N10LF7-2AG NRND

Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

STH80N10LF7-2AG

Swipe or click the button to explore more details Don't show this again

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。