Product overview
概要
本Nチャネル・パワーMOSFETは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh™ DM9テクノロジーを採用しています。ファストリカバリ・ダイオードとの組み合わせにより、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。シリコン・ベースのMDmesh™ DM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造を可能にしています。この高速スイッチング・スーパージャンクション・パワーMOSFETは、きわめて小さいリカバリ電荷(Qrr)、時間(trr)、およびRDS(on)を特徴とするファストリカバリ・ダイオードを備えているため、特に要求の厳しい高効率なブリッジ・トポロジやZVS位相シフト・コンバータに適しています。
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All features
- AEC-Q101準拠
- ファストリカバリ・ボディ・ダイオード
- 超低FOM(RDS(on)·Qg)
- 低ゲート電荷、低入力キャパシタンスおよび抵抗
- 100%アバランシェ試験済み
- きわめて堅牢なdv/dt特性
- ソース・ピンのドライブ機能による優れたスイッチング性能
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
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SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 Oct 2025 | 22 Oct 2025 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STHU65N110DM9AG | Active 交換品交換品 | HU3PAK | Automotive | Ecopack2 | 10 | 2025-10-01T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STHU65N110DM9AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STHU65N110DM9AG Active
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。