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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fastrecovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    Key Features

    • AEC-Q101 qualified
    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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STI47N60DM6AG I2PAK Tube
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STI47N60DM6AG

パッケージ

I2PAK

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Tube

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    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12101
      Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mΩ typ., 36 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in an I²PAK package
      3.0
      447.95 KB
      PDF
      DS12101

      Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mΩ typ., 36 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in an I²PAK package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      sti47n60dm6ag Pspice Model 1.0
      5.38 KB
      ZIP

      sti47n60dm6ag Pspice Model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      600 - 650 V MDmesh™ DM6: fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness 1.0
      694.14 KB
      PDF

      600 - 650 V MDmesh™ DM6: fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STI47N60DM6AG
アクティブ
I2PAK オートモーティブ Ecopack1

STI47N60DM6AG

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

I2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.