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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fastrecovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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製品型番
パッケージ
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Budgetary Price (US$)*
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STI47N60DM6AG I2PAK Tube
Active
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STI47N60DM6AG

パッケージ

I2PAK

Packing Type

Tube

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数量

1000

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EAR99

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CHINA

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    • 製品型番

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS12101
      Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mΩ typ., 36 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in an I²PAK package
      3.0
      447.95 KB
      PDF
      DS12101

      Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mΩ typ., 36 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in an I²PAK package

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • Description バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • Description バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HW Model, CAD Libraries & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
      sti47n60dm6ag Pspice Model 1.0
      5.38 KB
      ZIP

      sti47n60dm6ag Pspice Model

Publications and Collaterals

    • Description バージョン サイズ アクション
      600V MDmesh DM6 ・ ファスト・リカバリSJ型パワーMOSFET ・ 効率と堅牢性を大幅に向上させる 1.0
      692.39 KB
      PDF

      600V MDmesh DM6 ・ ファスト・リカバリSJ型パワーMOSFET ・ 効率と堅牢性を大幅に向上させる

    • Description バージョン サイズ アクション
      パワー・マネージメントガイド 2017 09.2018
      2.64 MB
      PDF

      パワー・マネージメントガイド 2017

製品型番 Marketing Status パッケージ Grade RoHS Compliance Grade Material Declaration**
STI47N60DM6AG
Active
I2PAK オートモーティブ Ecopack1

STI47N60DM6AG

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

I2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.