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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fastrecovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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STI47N60DM6AG I2PAK Tube
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STI47N60DM6AG

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I2PAK

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Tube

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS12101
      Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mΩ typ., 36 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in an I²PAK package
      3.0
      447.95 KB
      PDF
      DS12101

      Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mΩ typ., 36 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in an I²PAK package

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
      1.0
      834.68 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

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    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      sti47n60dm6ag Pspice Model 1.0
      5.38 KB
      ZIP

      sti47n60dm6ag Pspice Model

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STI47N60DM6AG
Active
I2PAK Automotive Ecopack1

STI47N60DM6AG

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

I2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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