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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
主な特徴
- AEC-Q101 qualified
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Logic level
- Wettable flank package
ビデオ
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All resources
製品スペック (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 25 Sep 2020 |
25 Sep 2020
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アプリケーションノート (5)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
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| 13 Sep 2018 |
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| 07 Jan 2019 |
07 Jan 2019
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| 13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
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| 13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
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ユーザマニュアル (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 21 Oct 2016 |
21 Oct 2016
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フライヤー (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 08 May 2020 |
08 May 2020
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CAD/EDA Symbols, Footprints and Models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STL19N3LLH6AG |
量産中
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PowerFLAT 5x6 WF | オートモーティブ | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STL19N3LLH6AG |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | PowerFLAT 5x6 WF | - | - | CHINA | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
