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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
主な特徴
- AEC-Q101 qualified
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Logic level
- Wettable flank package
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STL19N3LLH6AG | 量産中 | PowerFLAT 5x6 WF | オートモーティブ | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL19N3LLH6AG | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください | PowerFLAT 5x6 WF | Tape And Reel | 量産中 | EAR99 | CHINA |
STL19N3LLH6AG
パッケージ
PowerFLAT 5x6 WF梱包タイプ
Tape And ReelBudgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
