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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
    • Logic level
    • Wettable flank package

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STL19N3LLH6AG PowerFLAT 5x6 WF Tape And Reel
Active
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STL19N3LLH6AG

パッケージ

PowerFLAT 5x6 WF

梱包タイプ

Tape And Reel

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CHINA

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12507
      Automotive-grade N-channel 30 V, 23 mΩ typ., 10 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
      1.0
      655.33 KB
      PDF
      DS12507

      Automotive-grade N-channel 30 V, 23 mΩ typ., 10 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN1506
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      1.2
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      AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL19N3LLH6AG
Active
PowerFLAT 5x6 WF オートモーティブ Ecopack2

STL19N3LLH6AG

Package:

PowerFLAT 5x6 WF

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 5x6 WF

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.