STL19N60M6

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N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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  • The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

    主な特徴

    • Reduced switching losses
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate input resistance
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected

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    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS13180
      N-channel 600 V, 255 mΩ typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
      1.1
      570.45 KB
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      DS13180

      N-channel 600 V, 255 mΩ typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
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      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
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      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN5318
      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies
      1.0
      1.09 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN5318

      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STL19N60M6 Pspice model 1.0
      5.37 KB
      ZIP

      STL19N60M6 Pspice model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TO-LL: the latest evolution in SMD power packages STPOWER MOSFET SJ MDmesh M6 and DM6 1.0
      471.84 KB
      PDF

      TO-LL: the latest evolution in SMD power packages STPOWER MOSFET SJ MDmesh M6 and DM6

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL19N60M6
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PowerFLAT 8x8 HV インダストリアル Ecopack2

STL19N60M6

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

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Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 8x8 HV - - CHINA

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