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  • This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主な特徴

    • Worldwide best RDS(on)* area
    • Higher VDSSrating and high dv/dt capability
    • Excellent switching performance

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10015
      N-channel 650 V, 0.135 Ω typ., 15 A MDmesh™ V Power MOSFET in a PowerFLAT™ 8x8 HV package
      1.0
      1.23 MB
      PDF
      DS10015

      N-channel 650 V, 0.135 Ω typ., 15 A MDmesh™ V Power MOSFET in a PowerFLAT™ 8x8 HV package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter
      1.1
      1.35 MB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      252.98 KB
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      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
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      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL31N65M5
量産中
PowerFLAT 8x8 HV インダストリアル Ecopack2

STL31N65M5

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
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パッケージ
温度(℃) Country of Origin
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STL31N65M5 Available at 1 distributors

販売代理店在庫STL31N65M5

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MOUSER WORLDWIDE 3070 1 発注する

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量産中
EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 8x8 HV - - CHINA

STL31N65M5

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

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代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
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代理店名

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

PowerFLAT 8x8 HV

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Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。