STL66DN3LLH5

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Automotive-grade dual N-channel 30 V, 5.9 mOhm typ., 20 A STripFET H5 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island package

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  • This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Logic level VGS(th)
    • 175 °C maximum junction temperature
    • Wettable flanks package

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STL66DN3LLH5 PowerFLAT 5x6 double island WF Tape And Reel
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    • 製品型番

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技術文書

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      Automotive-grade dual N-channel 30 V, 5.9 mΩ typ., 20 A STripFET™ H5 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package
      3.0
      934.2 KB
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      DS8704

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    • 概要 Version Size Action
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL66DN3LLH5
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PowerFLAT 5x6 double island WF Automotive Ecopack2

STL66DN3LLH5

Package:

PowerFLAT 5x6 double island WF

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 5x6 double island WF

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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