STP16N65M5

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N-channel 650 V, 0.230 Ohm typ., 12 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package

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  • These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主な特徴

    • Worldwide best RDS(on)
    • Higher VDSSrating
    • High dv/dt capability
    • Excellent switching performance
    • Easy to drive
    • 100% avalanche tested

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS5989
      N-channel 650 V, 0.230 Ω, 12 A MDmesh™ V Power MOSFET in TO-220FP, I²PAK, TO-220, IPAK, TO-247
      4.1
      1.07 MB
      PDF
      DS5989

      N-channel 650 V, 0.230 Ω, 12 A MDmesh™ V Power MOSFET in TO-220FP, I²PAK, TO-220, IPAK, TO-247

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter
      1.1
      1.35 MB
      PDF
      AN3994
      Managing the best in class MDmesh™ V and MDmesh™ II super junction technologies: driving and layout key notes
      1.0
      2.24 MB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN3032
      STEVAL-ILB007V1, 2 x 58 W/T8 ballast based on the L6585DE suitable for 2 x 36 W/T8 lamp
      1.1
      1.05 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      AN3994

      Managing the best in class MDmesh™ V and MDmesh™ II super junction technologies: driving and layout key notes

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN3032

      STEVAL-ILB007V1, 2 x 58 W/T8 ballast based on the L6585DE suitable for 2 x 36 W/T8 lamp

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STP16N65M5 Pspice model (.lib) 1.0
      943 Byte(s)
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      STP16N65M5 Pspice model (.lib)

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

    • 概要 Version Size Action
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP16N65M5
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TO-220AB インダストリアル Ecopack2

STP16N65M5

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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