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These FDmesh II Plus™ low QgPower MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
主な特徴
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Lower RDS(on)x area vs previous generation
- Low gate input resistance
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
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製品スペック (1)
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| 19 Sep 2016 |
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アプリケーションノート (5 of 7)
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| 13 Sep 2018 |
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| 17 Dec 2019 |
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テクニカル･ノート & 技術解説 (1)
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| 13 Nov 2016 |
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ユーザマニュアル (1)
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| 21 Oct 2016 |
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フライヤー (5)
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| 22 Jan 2020 |
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| 05 Jun 2020 |
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| 08 May 2020 |
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| 13 Nov 2020 |
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| 23 Apr 2019 |
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パンフレット (1)
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| 23 Mar 2020 |
23 Mar 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STP24N60DM2
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
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HWモデル、CADライブラリ & SVD (1)
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| ZIP | 08 Jan 2015 |
08 Jan 2015
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP24N60DM2 |
量産中
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TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STP24N60DM2 | 3 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-220AB | - | - | CHINA | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
