Product overview
概要
These FDmesh II Plus™ low QgPower MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.-
All features
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Lower RDS(on)x area vs previous generation
- Low gate input resistance
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
注目ビデオ
All tools & software
All resources
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製品スペック (1)
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19 Sep 2016 |
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アプリケーションノート (5 of 7)
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13 Sep 2018 |
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13 Sep 2018 |
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17 Dec 2019 |
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技術ノート & 解説 (1)
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13 Nov 2016 |
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ユーザ・マニュアル (1)
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21 Oct 2016 |
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フライヤ (5)
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22 Feb 2021 |
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05 Jun 2020 |
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08 May 2020 |
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13 Nov 2020 |
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23 Apr 2019 |
23 Apr 2019
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パンフレット (1)
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23 Mar 2020 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
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HWモデル / CADライブラリ / SVD (1)
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ZIP | 08 Jan 2015 |
08 Jan 2015
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品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STP24N60DM2 |
量産中
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TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 |
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STP24N60DM2
Package:
TO-220ABMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STP24N60DM2 | 3 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-220AB | - | - | CHINA |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。