STP4N150

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N-channel 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH(TM) power MOSFET in TO-220

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  • Using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of very high voltage Power MOSFETs with outstanding performances.

    The strengthened layout coupled with the company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • High speed switching
    • Intrinsic capacitances and Qg minimized
    • Creepage distance path is 5.4 mm (typ.) for TO-3PF
    • Fully isolated TO-3PF plastic packages

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      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS4257
      N-channel 1500 V, 5 Ω, 4 A, PowerMESH™ Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF
      9.2
      754.03 KB
      PDF
      DS4257

      N-channel 1500 V, 5 Ω, 4 A, PowerMESH™ Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STP4N150 PSpice model (.lib) 1.0
      932 Byte(s)
      ZIP

      STP4N150 PSpice model (.lib)

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP4N150
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TO-220AB Industrial Ecopack2 (**)

STP4N150

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Package

TO-220AB

Grade

Industrial

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Ecopack2 (**)

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