STP4NK60Z

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N-channel 600 V, 1.7 Ohm typ., 4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package

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  • These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFETs developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Very low intrinsic capacitances
    • Zener-protected

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STP4NK60Z TO-220AB Tube
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DIGIKEY WORLDWIDE 1355 1 Order Now
COMPEL EUROPE 731 1 Order Now
RS COMPONENTS EUROPE 458 5 Order Now
ARROW EUROPE 1150 0 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 1987 1 Order Now
Farnell Element14 EUROPE 1015 1 Order Now
RUTRONIK EUROPE 700 50 Order Now

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STP4NK60Z

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TO-220AB

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推奨製品

推奨コンテンツ

Mobile Applications

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS9834
      N-channel 600 V, 1.7 Ω typ., 4 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs in TO-220 and TO-220FP packages
      2.0
      701.33 KB
      PDF
      DS9834

      N-channel 600 V, 1.7 Ω typ., 4 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs in TO-220 and TO-220FP packages

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STP4NK60Z PSpice model (.lib) 1.0
      560 Byte(s)
      ZIP

      STP4NK60Z PSpice model (.lib)

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP4NK60Z
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TO-220AB Industrial Ecopack2

STP4NK60Z

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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