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STP5NK50Z

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N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package

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  • These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitance
    • Zener-protected
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS2834
      N-channel 500 V, 1.22 Ω typ., 4.4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in I²PAK, DPAK, TO‑220, TO‑220FP and IPAK packages       		6.0
      669.79 KB
      		PDF
      DS2834

      N-channel 500 V, 1.22 Ω typ., 4.4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in I²PAK, DPAK, TO‑220, TO‑220FP and IPAK packages

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STP5NK50Z PSpice model (.lib) 1.0
      567 Byte(s)
      		ZIP
      		STP5NK50ZFP PSpice model (.lib) 1.0
      572 Byte(s)
      		ZIP

      STP5NK50Z PSpice model (.lib)

      ZIP

      STP5NK50ZFP PSpice model (.lib)

      ZIP

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      252.98 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP5NK50Z
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TO-220AB インダストリアル Ecopack2

STP5NK50Z

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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EAR99 NEC Tube TO-220AB -55 150 CHINA

STP5NK50Z

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99
詳細情報

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代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
DIGIKEY WORLDWIDE 1950 1 発注する
COMPEL EUROPE 956 1 発注する
ARROW EUROPE 404 0 発注する
MOUSER WORLDWIDE 3371 1 発注する
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DIGIKEY

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NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

TO-220AB

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(最小)

-55

(最大)

150

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Country of Origin

CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。