P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STR2P3LLH6 SOT-23 Tape And Reel
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STR2P3LLH6

パッケージ

SOT-23

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Tape And Reel

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9647
      P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -2 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a SOT‑23 package
      5.0
      531.21 KB
      PDF
      DS9647

      P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -2 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a SOT‑23 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4391
      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications
      1.0
      1.6 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4391

      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STR2P3LLH6
Active
SOT-23 インダストリアル Ecopack2

STR2P3LLH6

Package:

SOT-23

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

SOT-23

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.