N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK

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  • These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt capability
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitance
    • Improved diode reverse recovery characteristics
    • Zener-protected

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS5818
      N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMESH3™ Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, I²PAK, TO-220, IPAK packages
      4.1
      1.02 MB
      PDF
      DS5818

      N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMESH3™ Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, I²PAK, TO-220, IPAK packages

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STU6N62K3 PSpice model 1.0
      2.46 KB
      ZIP

      STU6N62K3 PSpice model

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STU6N62K3
Active
IPAK インダストリアル Ecopack2

STU6N62K3

Package:

IPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

Active

Package

IPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.