製品概要
概要
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
-
特徴
- Industry’s lowest RDS(on) x area
- Industry’s best FoM (figure of merit)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STU7N80K5
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
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| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STU7N80K5 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | IPAK | - | - | CHINA | | ||
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。