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  • The FDmesh™ associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • High dv/dt and avalanche capabilities
    • Low input capacitance and gate charge
    • 100% Avalanche tested
    • Tight process control and high manufacturing yields
    • Low gate input resistancE

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STW20NM60FD TO-247 Tube
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DIGIKEY WORLDWIDE 598 1 Order Now
RS COMPONENTS EUROPE 857 1 Order Now
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ARROW EUROPE 1051 0 Order Now
ARROW AMERICA 100 600 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 436 1 Order Now
Farnell Element14 EUROPE 758 1 Order Now
RUTRONIK EUROPE 2610 30 Order Now

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推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS3328
      N-channel 600V - 0.26Ω - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)
      4.3
      337.42 KB
      PDF
      DS3328

      N-channel 600V - 0.26Ω - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter
      1.4
      446.79 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2626

      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STW20NM60FD PSpice model (.lib) 1.0
      953 Byte(s)
      ZIP

      STW20NM60FD PSpice model (.lib)

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW20NM60FD
Active
TO-247 インダストリアル Ecopack2

STW20NM60FD

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.