STW24N60DM2

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N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

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製品概要

概要

These FDmesh II Plus™ low QgPower MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

  • 特徴

    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Lower RDS(on)x area vs previous generation
    • Low gate input resistance
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected
    • Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STW24N60DM2

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3D model

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW24N60DM2
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TO-247 インダストリアル Ecopack2

STW24N60DM2

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

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Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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