STW70N60DM6-4

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N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS12995
      N-channel 600 V, 36 mΩ typ., 62 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247‑4 package
      1.0
      469.7 KB
      PDF
      DS12995

      N-channel 600 V, 36 mΩ typ., 62 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247‑4 package

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
      1.0
      834.68 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      STW70N60DM6-4 pSpice Model 1.0
      5.5 KB
      ZIP

      STW70N60DM6-4 pSpice Model

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      600 - 650 V MDmesh™ DM6: fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness 1.0
      694.14 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      600 - 650 V MDmesh™ DM6: fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW70N60DM6-4
Active
TO247-4 インダストリアル Ecopack2

STW70N60DM6-4

Package:

TO247-4

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

TO247-4

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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